На основе измерений низкотемпературной фотолюминесценции продемонстрирована роль размытия интерфейсов и внедрения фоновых примесей при формировании одноэлектронного спектра гетероструктур GaAs/Al_xGa_1−xAs с квантовыми ямами, используемых для изготовления фотоприемных устройств среднего ИК диапазона. Показано, что фоновые примеси, заметно влияя на спектр излучения квантовых ям, практически не сказываются на их спектрах поглощения (возбуждения люминесценции). В то же время размытие интерфейса, слабо проявляясь в люминесценции, тем не менее, заметно искажает структуру одноэлектронных состояний. Предложен метод, позволяющий оценить степень размытия интерфейсов квантовых ям для фотоприемных устройств по спектрам возбуждения их экситонной люминесценции.