КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ
Физический институт имени П.Н. Лебедева

- Новости -   

15.11.2023
Добавлены 10, 11 выпуски за 2023 год

25.03.2019
Добавлены статьи для 11 номера, 2018г

- архив новостей -

Русская версия         
+
   Главное меню 1 номер 2009 г.
- Стартовая страница -
- Содержание журналов -
- Редколлегия -
- Авторский договор (.doc) -
- Инструкции для авторов -
- Авторский портал – руководство пользователя -
- Ссылки -
- Контакты -

 1. Название
ИЗМЕРЕНИЕ МЯГКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА УСТАНОВКЕ ПЛАЗМЕННЫЙ ФОКУС ПФ-4 С ПОМОЩЬЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РЕНТГЕНОВСКИХ ДЕТЕКТОРОВ

Авторы
С. П. Елисеев, В. Я. Никулин, П. В. Силин

Аннотация


Скачать статью  2.82 Мб (.pdf)

Cite this article as
Eliseev, S.P., Nikulin, V.Y. & Silin, P.V. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2009) 36: 1

DOI
10.3103/S1068335609010011


Стр.3
 2. Название
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ И ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МЯГКОГО РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА УСТАНОВКЕ ПФ-4 ТИПА ПЛАЗМЕННЫЙ ФОКУС

Авторы
С. П. Елисеев, В. Я. Никулин, П. В. Силин

Аннотация


Скачать статью  2.93 Мб (.pdf)

Cite this article as
Eliseev, S.P., Nikulin, V.Y. & Silin, P.V. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2009) 36: 8

DOI
10.3103/S1068335609010023


Стр.14
 3. Название
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ОТКЛИК И ВОЗМОЖНОСТИ РЕГИСТРАЦИИ КВАНТОВОГО РЕЖИМА УСИЛЕНИЯ В РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУРАХ

Авторы
О. А. Клименко, Н. В. Дьяконова, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, В. С. Сызранов, В. А. Чуенков

Аннотация


Скачать статью  3.12 Мб (.pdf)

Cite this article as
Klimenko, O.A., D’yakonova, N.V., Knap, V. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2009) 36: 14

DOI
10.3103/S1068335609010035


Стр.24
 4. Название
О влиянии распределения электронов в приконтактной области и ассиметрии РТД структуры на высокочастотный отклик и возможности регистрации квантового режима усиления во внешнем высокочастотном электрическом поле

Авторы
О. А. Клименко, Н. В. Дьяконова, Ю. А. Митягин, В. Н. Мурзин, В. С. Сызранов, В. А. Чуенков

Аннотация


Проведен теоретический анализ условий реализации . Квантового режима генерации микроволнового излучения в полупроводниковых резонансно-туннельных диодных (РТД) структурах. Методами численного моделирования проанализирован высокочастотный отклик в структурах с симметричными и асимметричными барьерами. Исследовано влияние фермиевского распределения носителей заряда в приконтактной области. Показано, что оптимальными с точки зрения экспериментального наблюдения квантового режима усиления являются асимметричные структуры с пониженной концентрацией примесей в эмиттерной области.

Скачать статью  3.92 Мб (.pdf)

Cite this article as
Klimenko, O.A., D’yakonova, N.V., Knap, V. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2009) 36: 21

DOI
10.3103/S1068335609010047


Стр.36