|
| Главное меню |
2 номер 2015 г. |
|
1. Название
СООТНОШЕНИЕ РАЗМЕРОВ И КОНЦЕНТРАЦИЙ ЧАСТИЦ
В НЕРАЗБАВЛЕННОЙ И РАЗБАВЛЕННОЙ ПЛАЗМЕ
КРОВИ ПО ДАННЫМ СВЕТОРАССЕЯНИЯ
Авторы
М. Н. Кириченко, А. В. Масалов, Л. Л. Чайков, А. Р. Зарицкий
Аннотация
Скачать статью 0.66 Мб (.pdf)
Cite this article as
Kirichenko, M.N., Masalov, A.V., Chaikov, L.L. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2015) 42: 33
DOI
10.3103/S1068335615020013
| |
Стр.2 |
2. Название
МЕТОДИЧЕСКИЕ ЗАМЕЧАНИЯ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ
КОСМИЧЕСКИХ МЮОНОВ В РАДИОГРАФИИ
Авторы
С. Г. Земскова, Н. И. Старков
Аннотация
Скачать статью 1.69 Мб (.pdf)
Cite this article as
Zemskova, S.G. & Starkov, N.I. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2015) 42: 37
DOI
10.3103/S1068335615020025
| |
Стр.11 |
3. Название
ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ЭКРАНЫ НА ОСНОВЕ
МНОГОСЛОЙНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР
Авторы
В. В. Дмитринко, П. В. Ньюнт, К. Ф. Власик, В. М. Грачев, С. С. Грабчиков, С. С. Муравьев-Смирнов, А. С. Новиков, С. Е. Улин, З. М. Утешев, И. В. Чернушева, А. Е. Шустов
Аннотация
Скачать статью 0.48 Мб (.pdf)
Cite this article as
Dmitrenko, V.V., Nyunt, P.W., Vlasik, K.F. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2015) 42: 43.
DOI
10.3103/S1068335615020037
| |
Стр.20 |
4. Название
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ
ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ В ФОТОННЫХ
КРИСТАЛЛАХ С ПОМОЩЬЮ КОНЕЧНО-РАЗНОСТНОГО
МЕТОДА
Авторы
К. И. Зайцев, В. С. Горелик, Г. М. Катыба, С. О. Юрченко
Аннотация
Скачать статью 1.52 Мб (.pdf)
Cite this article as
Zaitsev, K.I., Gorelik, V.S., Katyba, G.M. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2015) 42: 48
DOI
10.3103/S1068335615020049
| |
Стр.28 |
6. Название
СИНТЕЗ И ЛЕГИРОВАНИЕ МИКРОСТОЛБЧАТЫХ
АЛМАЗНЫХ ФОТОЭМИТТЕРОВ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ
КРЕМНИЙ-ВАКАНСИЯ
Авторы
Д. Н. Совык, П. А. Пивоваров, М. С. Комленок, В. В. Воробьев, А. В. Акимов, В. Г. Переверзев, В. И. Конов
Аннотация
Реализован метод эпитаксиального выращивания локализованных источников фотолюминесценции в виде
упорядоченных микростолбчатых алмазных структур с
центрами окраски кремний-вакансия (SiV). Процесс основан на осаждении алмаза в СВЧ плазме в смесях CH4-H2 в микроколодцах в кремниевой маске на монокристальной алмазной подложке, причјм сама маска Si служит источником легирования кремнием. Зарегистрирована сильная фотолюминесценция SiV центров на длине волны 738 нм, пространственное распределение свечения полностью совпадает с расположением синтезированных структур.Скачать статью 0.86 Мб (.pdf)
Cite this article as
Sovyk, D.N., Shershulin, V.A., Ralchenko, V.G. et al. Bull. Lebedev Phys. Inst. (2015) 42: 63.
DOI
10.3103/S1068335615020062
| |
Стр.51 |
|
|
|
|
