|
Главное меню |
4 номер 2020 г. |
|
2. Название Исследование одноэлектронного спектра GaAs/AlGaAs-гетероструктуры для фотодетекторов среднего ИК-диапазона с помощью измерений низкотемпературной люминесценции
Авторы Д. А. Литвинов, Д. А. Пашкеев, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, Д. Ф. Аминев Аннотация
На основе измерений
низкотемпературной фотолюминесценции продемонстрирована роль размытия
интерфейсов и внедрения фоновых примесей при формировании одноэлектронного
спектра гетероструктур GaAs/AlxGa1−xAs с квантовыми
ямами, используемых для изготовления фотоприемных устройств среднего ИК
диапазона. Показано, что фоновые примеси, заметно влияя на спектр излучения
квантовых ям, практически не сказываются на их спектрах поглощения (возбуждения
люминесценции). В то же время размытие интерфейса, слабо проявляясь в
люминесценции, тем не менее, заметно искажает структуру одноэлектронных
состояний. Предложен метод, позволяющий оценить степень размытия интерфейсов
квантовых ям для фотоприемных устройств по спектрам возбуждения их экситонной
люминесценции.
Скачать статью 0.6 Мб (.pdf)
Cite this article as
DOI 10.3103/S1068335620040041
| |
Стр.9 |
6. Название Обнаружение фазовых переходов в электронно-дырочной системе, связанной с ядрами дислокаций, в теллуриде кадмия
Авторы В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, С. И. Ченцов, М. А. Чернопицский, А. И. Шарков Аннотация
Скачать статью 0.6 Мб (.pdf)
Cite this article as
DOI 10.3103/S106833562004003X
| |
Стр.38 |
|
|
|
|