|
Главное меню |
4 номер 2020 г. |
|
2. Название Исследование одноэлектронного спектра GaAs/AlGaAs-гетероструктуры для фотодетекторов среднего ИК-диапазона с помощью измерений низкотемпературной люминесценции
Авторы Д. А. Литвинов, Д. А. Пашкеев, Л. Н. Григорьева, С. А. Колосов, Д. Ф. Аминев Аннотация
Скачать статью 0.6 Мб (.pdf)
Cite this article as
DOI 10.3103/S1068335620040041
| |
Стр.9 |
6. Название Обнаружение фазовых переходов в электронно-дырочной системе, связанной с ядрами дислокаций, в теллуриде кадмия
Авторы В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, В. С. Багаев, Е. Е. Онищенко, С. И. Ченцов, М. А. Чернопицский, А. И. Шарков Аннотация
При низких (5 К) температурах продемонстрирована перестройка тонкой структуры линий дислокационной микрофотолюминесценции в теллуриде кадмия, наблюдаемая с уменьшением плотности мощности оптического возбуждения. Для каждой из трех исследованных полос Y1 (~1.47 эВ), Y2 (~1.49 эВ) и Y3 (~1.51 эВ) характер этой перестройки указывает на существование перехода от электронно-дырочной плазмы к экситонным состояниям. Установлено, что тонкая структура полосы Y3 при плотностях возбуждения ~0.1−0.01 Вт/см2 обнаруживает признаки формирования метастабильных состояний, формирующихся с участием дислокационного ядра. Скачать статью 0.6 Мб (.pdf)
Cite this article as
DOI 10.3103/S106833562004003X
| |
Стр.38 |
|
|
|
|