|
| Главное меню |
8 номер 1999 г. |
|
3. Название
РЕДКОЗЕМЕЛЬНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК GaAs И AlxGa1-xAs, ВЫРАЩЕННЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ Yb МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
Авторы
В. М. Коннов, Н. Н. Лойко, А. М. Гилинский, К. С. Журавлев, И. П. Казаков, О. М. Бородина, М. Ю. Часовских
Аннотация
Получены слои GaAs и AlGaAs, легированные Yb в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведены исследования фотолюминесценции таких слоев. Показано, что необходимым условием активации специфической люминесценции, связанной с ионами Yb<3+, является дополнительное легирование (методом ионной имплантации) кислородом. Таким образом, процессы формирования люминесцентных комплексов на основе иона Yb3+ в слоях, выращенных и легированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в основном те же, что и в объемном материале, легированном Yb методом ионной имплантации.Скачать статью 2.41 Мб (.pdf)
| |
Стр.17 |
4. Название
ВЛИЯНИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА АНОМАЛИИ ТЕПЛОВОГО РАСШИРЕНИЯ ВаКВiO, ВаРbВiO И LaSrCuO
Авторы
Н. В. Аншукова, Л. И. Иванова, И. Б. Крынецкий, А. П. Русаков
Аннотация
Скачать статью 0.86 Мб (.pdf)
| |
Стр.30 |
6. Название
РАСХОДИМОСТЬ ИЗЛУЧЕНИЯ И КОЭФФИЦИЕНТ НАКЛОНА ДЛЯ КВАНТОВОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОЛАЗЕРОВ
Авторы
А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Лукьянов, А. А. Стратонников, А. В. Устинов
Аннотация
Скачать статью 1.1 Мб (.pdf)
| |
Стр.41 |
|
|
|
|
