КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ ПО ФИЗИКЕ
Физический институт имени П.Н. Лебедева

- Новости -

15.11.2023
Добавлены 10, 11 выпуски за 2023 год

25.03.2019
Добавлены статьи для 11 номера, 2018г


						+

Главное меню

9 номер 2023 г.

- Стартовая страница -
- Содержание журналов -
- Редколлегия -
- Авторский договор (.doc) -
- Контакты -
- Инструкции для авторов -
- Письмо Издателя о РИС -
- Авторский портал – руководство пользователя -
- Объявления -
- Ссылки -

1. Название
Анизотропия фазовой скорости МГД-волн в плазме с тепловым дисбалансом

Авторы
Д. И. Завершинский, Н. Е. Молевич, Д. С. Рящиков, С. А. Белов

Аннотация

Скачать статью 1.03 Мб (.pdf)

Стр.3

2. Название
Спектры люминесценции смесей Cl2/Xe высокого давления при лазерном возбуждении

Авторы
А. П. Широких, С. Б. Мамаев

Аннотация

Скачать статью 0.72 Мб (.pdf)

Стр.14

3. Название
Разработка метода восстановления полулептонных распадов -мезонов на данных CMS

Авторы
А. Д. Худяков, Р. Н. Чистов

Аннотация

Скачать статью 0.98 Мб (.pdf)

Стр.23

4. Название
Термооптическая бистабильность в компактном высокодобротном резонаторе на длине волны 1550 нм

Авторы
Г. В. Вишнякова, Д. С. Крючков, Т. А. Воронова, К. С. Кудеяров, Э. О. Чиглинцев, Н. О. Жаднов, К. Ю. Хабарова, Н. Н. Колачевский

Аннотация

Скачать статью 1.23 Мб (.pdf)

Стр.34

5. Название
Плазмохимический метод синтеза наноразмерного порошка карбида кремния с использованием микроволнового поверхностного разряда

Авторы
А. М. Давыдов, К. В. Артемьев, Д. И. Шилинговский, Н. Г. Гусейн-заде

Аннотация

Скачать статью 1.49 Мб (.pdf)

Стр.43

6. Название
Разработка дизайна интерфейсов для получения короткопериодных сверхрешеток InAs/GaSb методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Авторы
В. С. Кривобок, Д. А. Пашкеев, А. В. Клековкин, И. И. Минаев, К. А. Савин, Г. Н. Ерошенко, А. Е. Гончаров, С. Н. Николаев

Аннотация

Исследованы вопросы выращивания короткопериодных InAs/GaSb сверхрешеток на подложках GaSb (100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Для эпитаксиальных гетероструктур InAs/GaSb разработан метод формирования ``InSb-подобных'' атомарно-гладких интерфейсов с ультратонким переходным слоем In(As)Sb. Данная методика позволила вырастить короткопериодную сверхрешетку, содержащую 50 периодов InAs/GaSb. In-situ контроль роста с помощью дифракции быстрых электронов и постростовые исследования сверхрешетки с помощью атомно-силовой микроскопии и рентгеноструктурного анализа подтверждают эффективность методики для получения детекторных структур на основе сверхрешеток 2-го рода.

Скачать статью 1.06 Мб (.pdf)

Стр.51

7. Название
Газоразрядный волоконный лазер с СВЧ накачкой

Авторы
А. В. Гладышев, Д. Г. Комиссаров, С. М. Нефедов, А. Ф. Косолапов, В. В. Вельмискин, А. П. Минеев, И. А. Буфетов

Аннотация

Скачать статью 1.09 Мб (.pdf)

Стр.61